| FDA59N25 | |
|---|---|
| Osa numero | FDA59N25 |
| Valmistaja | onsemi |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN |
| Määrä saatavilla | 9198 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | 1.FDA59N25.pdf2.FDA59N25.pdf3.FDA59N25.pdf4.FDA59N25.pdf5.FDA59N25.pdf6.FDA59N25.pdf7.FDA59N25.pdf8.FDA59N25.pdf |
| FDA59N25 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| FDA59N25: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | FDA59N25 | Kategoria | |
| Valmistaja | onsemi | Kuvaus | MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN |
| Pakkaus / kotelo | TO-3PN | Määrä saatavilla | 9198 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | TO-3PN |
| Sarja | UniFET™ | RDS (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 29.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 392W (Tc) | Pakkaus / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paketti | Tube | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 4020 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V | FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 250 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
| Perustuotteenumero | FDA59 | ||
| ladata | FDA59N25 PDF - EN.pdf | ||
Tuotemalli
FDA59N25
Johdanto
N-kanavan 250V 59A MOSFET, joka on suunniteltu suuritehoisiin kytkentäsovelluksiin
Brändi ja valmistaja
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Ominaisuudet
N-kanavan MOSFET, korkea tyhjennys-lähde jännite 250V, jatkuva tyhjennysvirta 59A, matala Rds (on) 49 mΩ, korkea tehon hajotuskapasiteetti 392W, lyijytön ja RoHS-yhteensopiva
Tuotteen suorituskyky
Toimii tehokkaasti lämpötila-alueella -55°C - 150°C, tukee porttivetoja jopa 82nC 10V:llä, syöttökapasitanssi 4020pF 25V:lla, ohjausjännite vaihtelee jopa 10V
Tekniset määritykset
FET-tyyppi: N-kanava, Tyhjennys-lähde jännite (Vdss): 250V, Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C: 59A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mΩ, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V, Porttiveto (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC, Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF
Kohteet, muoto ja pakkaus
Pakkaus: Putki, Paketti / Kotelo: TO-3P-3, SC-65-3, Toimittajan laitepaketti: TO-3PN
Laatu ja luotettavuus
Korkea kestävyys ja suorituskyvyn vakaus äärimmäisissä olosuhteissa, Kosteusherkkyystaso (MSL): 1 (rajoittamaton)
Tuotteen edut
Korkeat jännite- ja virtaominaisuudet sopivat vankkoihin sovelluksiin, Tehokas lämmönhallinta korkean tehon hajotuksen vuoksi
Tuotteen kilpailukyky
Kilpailukykyinen suuritehoisissa sovelluksissa korkean suorituskyvyn ja luotettavuuden mittareiden ansiosta
Yhteensopivuus
Reikäkotelo asennus takaa yhteensopivuuden standardien PCB-muotoilujen kanssa
Standardimääräys ja noudattaminen
Lyijytön / RoHS-yhteensopiva, joka takaa ympäristön turvallisuuden
Ikävyys ja kestävyys
Suunniteltu pitkäaikaiseen luotettavuuteen vaativissa olosuhteissa
Toteutetut käyttöalat
Käytetään virtalähteissä, moottorivienteissä ja muissa suuritehoisissa kytkentäsovelluksissa
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ FDA59N25 Online.
| FDA59N25 Varasto | FDA59N25 Hinta | FDA59N25 Elektroniikka | |||
| FDA59N25-komponentit | FDA59N25 Inventory | FDA59N25 Digikey | |||
| Toimittaja FDA59N25 | Tilaa FDA59N25 Online | Kysely FDA59N25 | |||
| FDA59N25 Kuva | FDA59N25 Kuva | FDA59N25 PDF | |||
| FDA59N25-tietosivu | Lataa FDA59N25-tietolomake | Valmistaja | |||
| FDA59N25: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
FDA620008 | XTAL OSC XO 106.2500MHZ CMOS SMD | Diodes Incorporated | ||
|
FDA620006 | XTAL OSC XO 106.2500MHZ CMOS SMD | Diodes Incorporated | ||
 |
FDA620004 | XTAL OSC XO SMD | Diodes Incorporated | ||
|
FDA620010 | XTAL OSC XO 106.2500MHZ CMOS SMD | Diodes Incorporated | ||
 |
FDA4100LV-T | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
|
FDA450LV | IC AMP CLASS D QUAD 50W 100TQFP | STMicroelectronics | ||
 |
FDA50N50 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 | onsemi | ||
 |
FDA38N30 IC | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
|
FDA620009 | XTAL OSC XO 106.2500MHZ CMOS SMD | Diodes Incorporated | ||
|
FDA38N30 MOS | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
 |
FDA450LV IC | ST TQFP100 | ST | ||
|
FDA50N50 MOS | FAIRCHILD TO247 | FAIRCHILD | ||
|
FDA59N30 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FDA59N30 | MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA450LV-T | IC AMP CLASS D QUAD 50W 100TQFP | STMicroelectronics | ||
|
FDA59N30 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
|
FDA4100LV | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
|
FDA50N50S | FDA50N50S FSC | FSC | ||
|
FDA620007 | XTAL OSC XO 106.2500MHZ CMOS SMD | Diodes Incorporated | ||
|
FDA620005 | XTAL OSC XO 106.2500MHZ CMOS SMD | Diodes Incorporated | ||
Uutiset
Lisää
Microchipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.