| FDA24N50F | |
|---|---|
| Osa numero | FDA24N50F |
| Valmistaja | onsemi |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN |
| Määrä saatavilla | 5425 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | 1.FDA24N50F.pdf2.FDA24N50F.pdf3.FDA24N50F.pdf4.FDA24N50F.pdf5.FDA24N50F.pdf6.FDA24N50F.pdf7.FDA24N50F.pdf8.FDA24N50F.pdf |
| FDA24N50F Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| FDA24N50F: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | FDA24N50F | Kategoria | |
| Valmistaja | onsemi | Kuvaus | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN |
| Pakkaus / kotelo | TO-3PN | Määrä saatavilla | 5425 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | TO-3PN |
| Sarja | UniFET™ | RDS (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 12A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 270W (Tc) | Pakkaus / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paketti | Tube | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 4310 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V | FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 500 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Perustuotteenumero | FDA24 | ||
| ladata | FDA24N50F PDF - EN.pdf | ||
Tuotemalli
FDA24N50F
Johdanto
N-kanavan MOSFET, joka on suunniteltu korkean jännitteen teho sovelluksiin
Brändi ja valmistaja
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Ominaisuudet
N-kanavan MOSFET, korkea tyhjentää lähdön jännite 500V, jatkuva tyhjennysvirta 24A 25°C:ssa, maksimitehon häviö 270W
Tuotteen suorituskyky
Käyttölämpötila-alue -55°C:stä 150°C:een, Rds (On) Max 200 mOhm 12A:lla ja 10V:lla, portin kynnysjännite jopa 5V 250µA:ssa, portin varaus 85nC 10V:ssa, tulo-kapasitanssi 4310pF 25V:ssa
Tekniset määritykset
Tyhjennystä lähde jännite (Vdss) 500V, jatkuva tyhjennysvirta (Id) 24A 25°C:ssa, Rds On (Max) 200 mOhm 12A:lla, 10V:lla, portin varaus (Qg) 85nC 10V:ssa, tulo-kapasitanssi (Ciss) 4310pF 25V:ssa
Kohteet, muoto ja pakkaus
Reikäasennustyyppi, TO-3P-3, SC-65-3 pakkaus/rakenne, pakattu putkiin
Laatu ja luotettavuus
Lyijyttömät / RoHS-yhteensopiva, kosteustason herkkyys (MSL) 1 (rajoittamaton)
Tuotteen edut
Korkean jännitteen kapasiteetti soveltuu tehohallintasovelluksiin, terminen suorituskyky parantunut 270W tehon häviökapasiteetilla
Tuotteen kilpailukyky
Optimoitu korkean tehokkuuden saavuttamiseksi alhaisella on- resistanssilla ja korkeilla vaihtelunopeuksilla
Yhteensopivuus
Yhteensopiva standardin reikään asennuksen kanssa
Standardimääräys ja noudattaminen
RoHS-yhteensopiva, lyijytön tila
Ikävyys ja kestävyys
Kestävä malli, joka soveltuu pitkäaikaisiin sovelluksiin äärimmäisissä ympäristöissä
Toteutetut käyttöalat
Virtalähteet, moottorinohjaus, taajuusmuuttajat, kytkentäsäädin
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ FDA24N50F Online.
| FDA24N50F Varasto | FDA24N50F Hinta | FDA24N50F Elektroniikka | |||
| FDA24N50F-komponentit | FDA24N50F Inventory | FDA24N50F Digikey | |||
| Toimittaja FDA24N50F | Tilaa FDA24N50F Online | Kysely FDA24N50F | |||
| FDA24N50F Kuva | FDA24N50F Kuva | FDA24N50F PDF | |||
| FDA24N50F-tietosivu | Lataa FDA24N50F-tietolomake | Valmistaja | |||
| FDA24N50F: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
FDA215STR | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD | IXYS Integrated Circuits Division | ||
 |
FDA217S | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD | IXYS Integrated Circuits Division | ||
 |
FDA38N08 | FDA38N08 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
 |
FDA217 | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP | IXYS Integrated Circuits Division | ||
|
FDA24N50 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
 |
FDA33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN | onsemi | ||
 |
FDA217STR | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD | IXYS Integrated Circuits Division | ||
|
FDA24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
 |
FDA215S | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD | IXYS Integrated Circuits Division | ||
|
FDA28N50 | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN | onsemi | ||
 |
FDA28N50 MOS | ON TO-3P | ON | ||
 |
FDA38N30 | MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA24AD | FAIRCHILD TO-252 | FAIRCHILD | ||
|
FDA24N40F | MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA24N40F | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDA28N50F | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA30N06 | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
|
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDA38N30 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | Fairchild Semiconductor | ||
Uutiset
Lisää
Microchipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.