FDA28N50 | |
---|---|
Osa numero | FDA28N50 |
Valmistaja | onsemi |
Kuvaus | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
Määrä saatavilla | 5950 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
ECAD -malli | |
lomakkeissa | 1.FDA28N50.pdf2.FDA28N50.pdf3.FDA28N50.pdf4.FDA28N50.pdf5.FDA28N50.pdf6.FDA28N50.pdf7.FDA28N50.pdf8.FDA28N50.pdf |
FDA28N50 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
FDA28N50: n tekniset tiedot | |||
---|---|---|---|
Valmistajan osanumero | FDA28N50 | Kategoria | |
Valmistaja | onsemi | Kuvaus | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
Pakkaus / kotelo | TO-3PN | Määrä saatavilla | 5950 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | TO-3PN |
Sarja | UniFET™ | RDS (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 14A, 10V |
Tehonkulutus (Max) | 310W (Tc) | Pakkaus / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paketti | Tube | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 5140 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | FET tyyppi | N-Channel |
FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss) | 500 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Perustuotteenumero | FDA28 | ||
ladata | FDA28N50 PDF - EN.pdf |
FDA28N50
Korkeajännitteinen N-kanava MOSFET, joka on suunniteltu suurtehoisiin sovelluksiin.
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
N-kanava MOSFET -tekniikka
Korkea 500V tyhjennysjännite
Jatkuva tyhjennysvirta 28A 25°C:ssa
Matala kytkentävastus 155 mΩ
Parannetut porttivirtamäärät ja kapasitanssiparametrit
Vankka lämpötila-suorituskyky, maksimitehohävitys 310W
Käytettävissä laajalla lämpötila-alueella -55°C:sta 150°C:een
Sopii korkean hyötysuhteen energianhallintaan
UniFET-sarjan MOSFET
Jännite - Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250μA
Porttivirtakuormitus - Qg (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V
Sisääntulokapasitanssi - Ciss (Max) @ Vds: 5140pF @ 25V
Reiästä läpivientityyppi
TO-3P-3, SC-65-3 paketti/pakkaus
Pakattu putkiin toimitusta varten
Toimittajan laitekoko TO-3PN
Kosteuden herkkyyden taso (MSL) 1 (rajoittamaton)
Lyijyvapaa ja RoHS-yhteensopiva ympäristöstandardien mukaisesti
Korkeat jännite- ja virtakapasiteetit
Sopii suurtehoisiin ja korkean hyötysuhteen sovelluksiin
Optimoitu lämpötilasuorituskyvylle korkean tehohäviön kanssa
Laaja yhteensopivuus korkean jännitteen sovelluksiin
RoHS-yhteensopiva, joka varmistaa ympäristöturvallisuuden ja kestävyyden
Kestävä erilaisissa käyttöolosuhteissa ja lämpötiloissa
Sopii virtalähteisiin, muuntimiin ja energianhallintajärjestelmiin erilaisten elektronisten laitteiden sisällä
FDA28N50 Varasto | FDA28N50 Hinta | FDA28N50 Elektroniikka | |||
FDA28N50-komponentit | FDA28N50 Inventory | FDA28N50 Digikey | |||
Toimittaja FDA28N50 | Tilaa FDA28N50 Online | Kysely FDA28N50 | |||
FDA28N50 Kuva | FDA28N50 Kuva | FDA28N50 PDF | |||
FDA28N50-tietosivu | Lataa FDA28N50-tietolomake | Valmistaja |
FDA28N50: n vastaavat osat | |||||
---|---|---|---|---|---|
Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
![]() |
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FDA38N30 MOS | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA4100LV | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
![]() |
FDA38N30 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FDA24N50F | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA38N30 | MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA217STR | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD | IXYS Integrated Circuits Division | ||
![]() |
FDA24AD | FAIRCHILD TO-252 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA28N50 MOS | ON TO-3P | ON | ||
![]() |
FDA38N30 IC | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA24N40F | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FDA28N50F | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA217S | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD | IXYS Integrated Circuits Division | ||
![]() |
FDA38N08 | FDA38N08 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA30N06 | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA24N50 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA24N40F | MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN | onsemi |
Uutiset
LisääMicrochipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
LisääPD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.