| FDA24N50 | |
|---|---|
| Osa numero | FDA24N50 |
| Valmistaja | onsemi |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN |
| Määrä saatavilla | 8600 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | 1.FDA24N50.pdf2.FDA24N50.pdf3.FDA24N50.pdf4.FDA24N50.pdf5.FDA24N50.pdf6.FDA24N50.pdf7.FDA24N50.pdf8.FDA24N50.pdf |
| FDA24N50 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| FDA24N50: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | FDA24N50 | Kategoria | |
| Valmistaja | onsemi | Kuvaus | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN |
| Pakkaus / kotelo | TO-3PN | Määrä saatavilla | 8600 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | TO-3PN |
| Sarja | UniFET™ | RDS (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 12A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 270W (Tc) | Pakkaus / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paketti | Tube | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 4150 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V | FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 500 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Perustuotteenumero | FDA24 | ||
| ladata | FDA24N50 PDF - EN.pdf | ||
Tuotemalli
FDA24N50
Johdanto
N-kanavan 500V 24A MOSFET
Brändi ja valmistaja
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Ominaisuudet
N-kanavan MOSFET, lyijyvapaa / RoHS-yhteensopiva, kosteustaso 1
Tuotteen suorituskyky
Jatkuva purkuvirta: 24A, purku-lähde jännite: 500V, maksimitehon hajoaminen: 270W, ON- resistanssi: 190 mOhm, porttivirtalähde: 85nC, tulo-kapasitanssi: 4150pF
Tekniset määritykset
FET-tyyppi: N-kanava, portti-kynnysjännite: 5V 250μA:lla, maksimaalinen portti-lähde jännite: ±30V, ajovoima: 10V
Kohteet, muoto ja pakkaus
Paketti / kotelo: TO-3P-3, SC-65-3, pakkaustyyppi: putki
Laatu ja luotettavuus
Korkea luotettavuus äärimmäisissä olosuhteissa
Tuotteen edut
Korkea jännitekestävyys, suuri virransietokyky, tehokas energian muuntaminen
Tuotteen kilpailukyky
Optimoitu korkean suorituskyvyn sovelluksiin
Yhteensopivuus
Reikämontointi helppoa integrointia varten
Standardimääräys ja noudattaminen
Lyijyvapaa, RoHS-yhteensopiva
Ikävyys ja kestävyys
Suunniteltu pitkän aikavälin luotettavuudelle
Toteutetut käyttöalat
Tehonsaantihallintasovellukset, vaihesyöttöiset virtalähteet, moottorikäynnistimet
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ FDA24N50 Online.
| FDA24N50 Varasto | FDA24N50 Hinta | FDA24N50 Elektroniikka | |||
| FDA24N50-komponentit | FDA24N50 Inventory | FDA24N50 Digikey | |||
| Toimittaja FDA24N50 | Tilaa FDA24N50 Online | Kysely FDA24N50 | |||
| FDA24N50 Kuva | FDA24N50 Kuva | FDA24N50 PDF | |||
| FDA24N50-tietosivu | Lataa FDA24N50-tietolomake | Valmistaja | |||
| FDA24N50: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
FDA28N50F | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN | onsemi | ||
 |
FDA24N40F | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDA24N40F | MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN | onsemi | ||
 |
FDA215 | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP | IXYS Integrated Circuits Division | ||
|
FDA217 | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP | IXYS Integrated Circuits Division | ||
 |
FDA28N50 MOS | ON TO-3P | ON | ||
 |
FDA215STR | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD | IXYS Integrated Circuits Division | ||
|
FDA24N50F | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA28N50 | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN | onsemi | ||
 |
FDA215H | FDA215H CLARE | CLARE | ||
|
FDA24N50 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
 |
FDA215S | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD | IXYS Integrated Circuits Division | ||
|
FDA38N08 | FDA38N08 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FDA217S | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD | IXYS Integrated Circuits Division | ||
|
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA24AD | FAIRCHILD TO-252 | FAIRCHILD | ||
|
FDA33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA30N06 | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
 |
FDA217STR | OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD | IXYS Integrated Circuits Division | ||
Uutiset
Lisää
Microchipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.