SIHG33N60E-GE3 | |
---|---|
Osa numero | SIHG33N60E-GE3 |
Valmistaja | Vishay Siliconix |
Kuvaus | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
Määrä saatavilla | 3059 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
ECAD -malli | |
lomakkeissa | 1.SIHG33N60E-GE3.pdf2.SIHG33N60E-GE3.pdf3.SIHG33N60E-GE3.pdf |
SIHG33N60E-GE3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
SIHG33N60E-GE3: n tekniset tiedot | |||
---|---|---|---|
Valmistajan osanumero | SIHG33N60E-GE3 | Kategoria | |
Valmistaja | Vishay / Siliconix | Kuvaus | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
Pakkaus / kotelo | TO-247AC | Määrä saatavilla | 3059 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | TO-247AC |
Sarja | - | RDS (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max) | 278W (Tc) | Pakkaus / Case | TO-247-3 |
Paketti | Tube | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 3508 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | FET tyyppi | N-Channel |
FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss) | 600 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Perustuotteenumero | SIHG33 | ||
ladata | SIHG33N60E-GE3 PDF - EN.pdf |
SIHG33N60E-GE3
Tämä on korkean jännitteen, korkean suorituskyvyn N-kanavan MOSFET, joka on suunniteltu erilaisiin teho-sovelluksiin.
Vishay Siliconix
Korkea jännite viemäristä lähteeseen, N-kanava tehokkaaseen johtamiseen, kykenee käsittelemään jatkuvia suuria virtoja
Korkea tehohäviö 278W, matala Rds On energiatehokkuuden vuoksi, kestävä lämpöhallintakyky
MOSFET-teknologia, 600V viemäristä lähteeseen -jännite, 33A jatkuva viemärivirta
TO-247AC-paketti, läpivientiasennustyyppi, toimitetaan putkissa
Lyijyvapaa ja RoHS-yhteensopiva, kestävä laajoilla käyttöolosuhteilla
Korkean jännitteen käsittely, energiatehokas toiminta, sopii korkean tehop tiheyden sovelluksiin
Tarjoaa kilpailuedun korkean jännitteen sovelluksissa
Yhteensopiva erilaisten N-kanavan MOSFET:ien vaatimusten kanssa
RoHS-yhteensopiva ympäristöstandardeille
Suunniteltu pitkäaikaiseen luotettavuuteen vaativissa olosuhteissa
Sopii tehonhallintasovelluksiin aloilla kuten tietojenkäsittely, autoilu ja teolliset järjestelmät.
SIHG33N60E-GE3 Varasto | SIHG33N60E-GE3 Hinta | SIHG33N60E-GE3 Elektroniikka | |||
SIHG33N60E-GE3-komponentit | SIHG33N60E-GE3 Inventory | SIHG33N60E-GE3 Digikey | |||
Toimittaja SIHG33N60E-GE3 | Tilaa SIHG33N60E-GE3 Online | Kysely SIHG33N60E-GE3 | |||
SIHG33N60E-GE3 Kuva | SIHG33N60E-GE3 Kuva | SIHG33N60E-GE3 PDF | |||
SIHG33N60E-GE3-tietosivu | Lataa SIHG33N60E-GE3-tietolomake | Valmistaja Vishay / Siliconix |
SIHG33N60E-GE3: n vastaavat osat | |||||
---|---|---|---|---|---|
Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
![]() |
SIHG30N60E-GE3 IC | VISHAY TO-247AC | VISHAY | ||
![]() |
SIHG32N50D-GE3 IC | VISHAY TO-247 | VISHAY | ||
![]() |
SIHG33N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIHG32N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SIHG32N50D G32N50D | VISHAY TO-247 | VISHAY | ||
![]() |
SIHG32N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIHG33N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SIHG33N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SIHG33N60E | SIHG33N60E VISHYA | VISHYA | ||
![]() |
SIHG33N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SIHG32N50D-GE3 | MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIHG33N60EF | VISHAY TO-247 | VISHAY | ||
![]() |
SIHG32N50D-GE3 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SIHG33N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIHG33N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIHG33N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIHG33N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SIHG35N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIHG32N50D | VISHAY | |||
![]() |
SIHG33N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC | Vishay Siliconix |
Uutiset
LisääMicrochipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
LisääPD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.