| SIE808DF-T1-E3 | |
|---|---|
| Osa numero | SIE808DF-T1-E3 |
| Valmistaja | Vishay Siliconix |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| Määrä saatavilla | 2955 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | SIE808DF-T1-E3.pdf |
| SIE808DF-T1-E3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SIE808DF-T1-E3: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | SIE808DF-T1-E3 | Kategoria | |
| Valmistaja | Vishay / Siliconix | Kuvaus | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| Pakkaus / kotelo | 10-PolarPAK® (L) | Määrä saatavilla | 2955 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Sarja | TrenchFET® | RDS (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 25A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | Pakkaus / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Paketti | Tape & Reel (TR) | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 20 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Perustuotteenumero | SIE808 | ||
| ladata | SIE808DF-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
Tuotemalli
SIE808DF-T1-E3
Johdanto
Korkean suorituskyvyn N-kanavan MOSFET
Brändi ja valmistaja
Vishay / Siliconix
Ominaisuudet
TrenchFET-teknologia, korkea jatkuva virrankesto 60A, matala on- resistanssi 1.6 mOhm, nopea kytkentänopeus
Tuotteen suorituskyky
Korkea tehokkuus vähentäen energiakustannuksia, hyvät lämmönhallintakyvyt
Tekniset määritykset
MOSFET (metallihappo) -teknologia
Kohteet, muoto ja pakkaus
10-PolarPAK (L) -paketti, pinnalle asennettava, nauha & kelarointi (TR) pakkaus
Laatu ja luotettavuus
Toimii -55°C:sta 150°C:seen
Tuotteen edut
Energiatehokkuus voimakasta vaativissa sovelluksissa
Tuotteen kilpailukyky
Markkinajohtaja teho MOSFET:issä
Yhteensopivuus
Yhteensopiva standardipinnalle asennettavien prosessien kanssa
Standardimääräys ja noudattaminen
Teollisuusstandardien mukaista MOSFET:ille
Ikävyys ja kestävyys
Suunniteltu pitkäaikaiseen luotettavuuteen
Toteutetut käyttöalat
Tehon hallinta tietojenkäsittelyssä, telekommunikaatio-infrastruktuuri, teolliset sovellukset
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ SIE808DF-T1-E3 Online.
| SIE808DF-T1-E3 Varasto | SIE808DF-T1-E3 Hinta | SIE808DF-T1-E3 Elektroniikka | |||
| SIE808DF-T1-E3-komponentit | SIE808DF-T1-E3 Inventory | SIE808DF-T1-E3 Digikey | |||
| Toimittaja SIE808DF-T1-E3 | Tilaa SIE808DF-T1-E3 Online | Kysely SIE808DF-T1-E3 | |||
| SIE808DF-T1-E3 Kuva | SIE808DF-T1-E3 Kuva | SIE808DF-T1-E3 PDF | |||
| SIE808DF-T1-E3-tietosivu | Lataa SIE808DF-T1-E3-tietolomake | Valmistaja Vishay / Siliconix | |||
| SIE808DF-T1-E3: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
SIE806DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE810DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE806DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE812DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SIE806DF MOS | VISHAY PolarPAK | VISHAY | ||
|
SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE806DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE812DF | SIE812DF vishay | vishay | ||
|
SIE806DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE808DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE812DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE808DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE810DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE802DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE810DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE810DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE808DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
Uutiset
Lisää
Microchipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.