SI7460DP-T1-E3 | |
---|---|
Osa numero | SI7460DP-T1-E3 |
Valmistaja | Vishay Siliconix |
Kuvaus | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
Määrä saatavilla | 7442 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
ECAD -malli | |
lomakkeissa | 1.SI7460DP-T1-E3.pdf2.SI7460DP-T1-E3.pdf |
SI7460DP-T1-E3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
SI7460DP-T1-E3: n tekniset tiedot | |||
---|---|---|---|
Valmistajan osanumero | SI7460DP-T1-E3 | Kategoria | |
Valmistaja | Vishay / Siliconix | Kuvaus | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
Pakkaus / kotelo | PowerPAK® SO-8 | Määrä saatavilla | 7442 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Sarja | TrenchFET® | RDS (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 18A, 10V |
Tehonkulutus (Max) | 1.9W (Ta) | Pakkaus / Case | PowerPAK® SO-8 |
Paketti | Tape & Reel (TR) | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
FET tyyppi | N-Channel | FET Ominaisuus | - |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Valua lähde jännite (Vdss) | 60 V |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) | Perustuotteenumero | SI7460 |
ladata | SI7460DP-T1-E3 PDF - EN.pdf |
SI7460DP-T1-E3
Vishay Siliconix PowerPAK SO-8 N-kanava MOSFET
Vishay / Siliconix
N-kanava TrenchFET-teknologia, korkea hyötysuhde alhaisen kynnysvastuksen ansiosta, parannettu teho tiheys
Toimii lämpötiloissa -55°C:sta 150°C:seen, jatkuva purkuvirran kapasiteetti 11A 25°C:ssa, tehopurkaus 1.9W ympäristön lämpötilassa
Purku-lähde jännite (Vdss) 60V, portti-lähde kynnysjännite (Vgs(th)) max 3V 250µA:ssa, staattinen purku-lähde päälle- ja alasvastus (Rds On) 9.6 mOhm 18A:ssa, 10V
PowerPAK SO-8 pakkaus, toimitetaan nauha- ja kela-pakkauksessa (TR) automatisoituun kokoonpanoon
Lyijytön ja RoHS-yhteensopiva, rakennettu johdonmukaiseen suorituskykyyn ja korkeaan luotettavuuteen
Alhainen lämpövastus, sopii korkeatehoisille tiheyssovelluksille
Kilpailukykyinen korkeatehoisten virtahallintaratkaisujen markkinoilla
Yhteensopiva automatisoidun kokoonpanoprosessin kanssa, pintamontointiteknologian kanssa yhteensopiva
Lyijytön ja RoHS-yhteensopiva, varmistaa ympäristö- ja terveysstandardien noudattamisen
Kestävä pitkä käyttöikä määritellyissä olosuhteissa
Virtalähteet, virtahallinta, DC-DC muuntimet, kytkentäsovellukset
SI7460DP-T1-E3 Varasto | SI7460DP-T1-E3 Hinta | SI7460DP-T1-E3 Elektroniikka | |||
SI7460DP-T1-E3-komponentit | SI7460DP-T1-E3 Inventory | SI7460DP-T1-E3 Digikey | |||
Toimittaja SI7460DP-T1-E3 | Tilaa SI7460DP-T1-E3 Online | Kysely SI7460DP-T1-E3 | |||
SI7460DP-T1-E3 Kuva | SI7460DP-T1-E3 Kuva | SI7460DP-T1-E3 PDF | |||
SI7460DP-T1-E3-tietosivu | Lataa SI7460DP-T1-E3-tietolomake | Valmistaja Vishay / Siliconix |
SI7460DP-T1-E3: n vastaavat osat | |||||
---|---|---|---|---|---|
Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
![]() |
SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7461DP-T1-E3 MOS | VISHAT QFN-8 | VISHAT | ||
![]() |
SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7459DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
![]() |
SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7460DP | SI7460DP SI | SI | ||
![]() |
SI7460DP-T1-E3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
![]() |
SI7458DP-T1-GE3 | SI7458DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI7460DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7461DP | SI7461DP VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7461DP-T1-GE3 IC | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
![]() |
SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7458DP-T1-E3 | SI7458DP-T1-E3 VISHAT | VISHAT | ||
![]() |
SI7459DP | SI7459DP VISHAY | VISHAY |
Uutiset
LisääMicrochipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
LisääPD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.