| SI7370DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Osa numero | SI7370DP-T1-GE3 |
| Valmistaja | Vishay Siliconix |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 |
| Määrä saatavilla | 5201 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | 1.SI7370DP-T1-GE3.pdf2.SI7370DP-T1-GE3.pdf |
| SI7370DP-T1-GE3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SI7370DP-T1-GE3: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | SI7370DP-T1-GE3 | Kategoria | |
| Valmistaja | Vishay / Siliconix | Kuvaus | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 |
| Pakkaus / kotelo | PowerPAK® SO-8 | Määrä saatavilla | 5201 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Sarja | TrenchFET® | RDS (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 1.9W (Ta) | Pakkaus / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Paketti | Tape & Reel (TR) | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| FET tyyppi | N-Channel | FET Ominaisuus | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Valua lähde jännite (Vdss) | 60 V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 9.6A (Ta) | Perustuotteenumero | SI7370 |
| ladata | SI7370DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Tuotemalli
SI7370DP-T1-GE3
Johdanto
Korkean suorituskyvyn N-kanavan MOSFET
Brändi ja valmistaja
Vishay / Siliconix
Ominaisuudet
N-kanavan TrenchFET-teknologia, Alhainen On-resistanssi (Rds On), Korkea jatkuva viemärivirta, Laajennettu käyttölämpötila-alue
Tuotteen suorituskyky
Korkea tehohäviökapasiteetti, Tehokas nopea kytkentä, Parannettu lämpösuorituskyky
Tekniset määritykset
60 V viemäristä lähteeseen jännite, 9.6 A jatkuva viemärivirta, 11 mOhm Rds On 12A, 10V:ssa
Kohteet, muoto ja pakkaus
PowerPAK SO-8 pakkaus, Pintakiinnityskonfiguraatio, Toimitetaan teipissä ja kelalla
Laatu ja luotettavuus
Kestävä rakenne korkean luotettavuuden takaamiseksi, Alan standardien mukainen
Tuotteen edut
Parannettu energiatehokkuus, Vähentynyt lämmöntuotanto
Tuotteen kilpailukyky
Erittäin kilpailukykyinen suorituskyvyn ja hinnan suhde
Yhteensopivuus
Yhteensopiva standardin SMD-assemblointiprosessien kanssa
Standardimääräys ja noudattaminen
Vastaa sovellettavia kansainvälisiä standardeja
Ikävyys ja kestävyys
Pitkä käyttöikä, Suunniteltu kestävään käyttöön
Toteutetut käyttöalat
Tehonhallinta, Vaihtovirtapower-syöttölaitteet, Moottorikuvastot, Akun hallintajärjestelmät
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ SI7370DP-T1-GE3 Online.
| SI7370DP-T1-GE3 Varasto | SI7370DP-T1-GE3 Hinta | SI7370DP-T1-GE3 Elektroniikka | |||
| SI7370DP-T1-GE3-komponentit | SI7370DP-T1-GE3 Inventory | SI7370DP-T1-GE3 Digikey | |||
| Toimittaja SI7370DP-T1-GE3 | Tilaa SI7370DP-T1-GE3 Online | Kysely SI7370DP-T1-GE3 | |||
| SI7370DP-T1-GE3 Kuva | SI7370DP-T1-GE3 Kuva | SI7370DP-T1-GE3 PDF | |||
| SI7370DP-T1-GE3-tietosivu | Lataa SI7370DP-T1-GE3-tietolomake | Valmistaja Vishay / Siliconix | |||
| SI7370DP-T1-GE3: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
SI7370DP-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
 |
SI7370DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI7368DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7374DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7374DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7370DP-T1-GE3 IC | VISHAY QFN-8 | VISHAY | ||
|
SI7370DP-T1 | SI7370DP-T1 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7374DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7368DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7374DP-T1-E3 MOS | VISHAY QFN | VISHAY | ||
 |
SI7370DP | SI7370DP SI | SI | ||
|
SI7380ADP | SI7380ADP SI | SI | ||
|
SI7370DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7370DP-T1-E3 MOS | VISHAY SOP | VISHAY | ||
|
SI7374DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7370ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7380ADP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7370ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7374DP | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SI7370DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
Uutiset
Lisää
Microchipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.