SI6913DQ-T1-GE3 | |
---|---|
Osa numero | SI6913DQ-T1-GE3 |
Valmistaja | Vishay Siliconix |
Kuvaus | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP |
Määrä saatavilla | 17500 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
ECAD -malli | |
lomakkeissa | 1.SI6913DQ-T1-GE3.pdf2.SI6913DQ-T1-GE3.pdf3.SI6913DQ-T1-GE3.pdf |
SI6913DQ-T1-GE3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
SI6913DQ-T1-GE3: n tekniset tiedot | |||
---|---|---|---|
Valmistajan osanumero | SI6913DQ-T1-GE3 | Kategoria | |
Valmistaja | Vishay / Siliconix | Kuvaus | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP |
Pakkaus / kotelo | 8-TSSOP | Määrä saatavilla | 17500 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 400µA | teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package | 8-TSSOP | Sarja | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5.8A, 4.5V | Virta - Max | 830mW |
Pakkaus / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Paketti | Tape & Reel (TR) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | Asennustyyppi | Surface Mount |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | - | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
FET Ominaisuus | Logic Level Gate | Valua lähde jännite (Vdss) | 12V |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 4.9A | kokoonpano | 2 P-Channel (Dual) |
Perustuotteenumero | SI6913 | ||
ladata | SI6913DQ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI6913DQ-T1-GE3
P-kanavan MOSFET-ryhmä
Vishay / Siliconix
Logiikka tason portti, kaksoisp-kanava MOSFET, TrenchFET-tekniikka
Korkea jatkuva tyhjennysvirta 4,9A 25°C:ssa, matala Rds(on) 21 mOhm 5,8A:ssa, 4,5V:ssa, tukee laajaa käyttö lämpötilavalikoimaa -55°C - 150°C
Tyhjennysjännite (Vdss) 12V, portti-lähde kynnysjännite (Vgs th) 900mV 400 µA:lla, porttivaraus (Qg) 28nC 4,5V:ssa
8-TSSOP (0,173", 4,40mm leveä), Digi-Reel-pakkausformaatissa joustaville tilaustavoille
Lyijyttömyys ja RoHS-yhteensopivuus ympäristöturvallisuuden takaamiseksi, todistettu TrenchFET-tekniikka parannetun suorituskyvyn vuoksi
Energiaa säästävä suunnittelu alhaisella sisäänvastuksella, korkea luotettavuus ja kestävyys eri lämpötila-alueilla
Ihanteellinen energianhallintasovelluksiin, sopii kannettaville ja tilarajoitetuille sähköisille suunnitteluilla
Yhteensopiva logiikka-tason porttivirtapiirien kanssa
RoHS-yhteensopiva, mikä osoittaa haitallisten aineiden rajoituksia
Kestävä rakenne, joka sopii pitkäaikaiseen käyttöön elektroniikkalaitteissa
Teho sääntely tietokone- ja telecom-laitteissa, akkuhallintajärjestelmät, kuormakytkin sovellukset, energiansiirto kuluttajaelektroniikassa
SI6913DQ-T1-GE3 Varasto | SI6913DQ-T1-GE3 Hinta | SI6913DQ-T1-GE3 Elektroniikka | |||
SI6913DQ-T1-GE3-komponentit | SI6913DQ-T1-GE3 Inventory | SI6913DQ-T1-GE3 Digikey | |||
Toimittaja SI6913DQ-T1-GE3 | Tilaa SI6913DQ-T1-GE3 Online | Kysely SI6913DQ-T1-GE3 | |||
SI6913DQ-T1-GE3 Kuva | SI6913DQ-T1-GE3 Kuva | SI6913DQ-T1-GE3 PDF | |||
SI6913DQ-T1-GE3-tietosivu | Lataa SI6913DQ-T1-GE3-tietolomake | Valmistaja Vishay / Siliconix |
SI6913DQ-T1-GE3: n vastaavat osat | |||||
---|---|---|---|---|---|
Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
![]() |
SI6924AEDQ | VISHAY 09+ | VISHAY | ||
![]() |
SI6880EDQ-T1-E3 | SI6880EDQ-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI6923DQ-T1-E3 | SI6923DQ-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI6923DQ-T1 | SI6923DQ-T1 VISHAY/SIL | VISHAY/SIL | ||
![]() |
SI6924AEDQ | VISHAY | |||
![]() |
SI6913DQ-T1-BE3 | DUAL P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI6913DQ-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI6880EDQ-T1 | SI6880EDQ-T1 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI6923DQ-T1. | SI6923DQ-T1. VIS | VIS | ||
![]() |
SI6913DQ-T1-E3 MOS | VISHAY TSSOP-8 | VISHAY | ||
![]() |
SI6913DQ | SI6913DQ VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI6882EDQ | SI6882EDQ VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI6911DQ-T1-E3 | SI6911DQ-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI6923DQ | VISHAY | |||
![]() |
SI6924AEDQ-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI6923DQ-TI | SI6923DQ-TI VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI6913DQ-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI6913DQ-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI6880EDQ | SI6880EDQ VB | VB | ||
![]() |
SI6913DQ-T1-GE3 MOS | VISHAY MSOP-8 | VISHAY |
Uutiset
LisääMicrochipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
LisääPD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.