SI2369DS-T1-GE3 | |
---|---|
Osa numero | SI2369DS-T1-GE3 |
Valmistaja | Vishay Siliconix |
Kuvaus | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 |
Määrä saatavilla | 8000 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
ECAD -malli | |
lomakkeissa | 1.SI2369DS-T1-GE3.pdf2.SI2369DS-T1-GE3.pdf3.SI2369DS-T1-GE3.pdf |
SI2369DS-T1-GE3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
SI2369DS-T1-GE3: n tekniset tiedot | |||
---|---|---|---|
Valmistajan osanumero | SI2369DS-T1-GE3 | Kategoria | |
Valmistaja | Vishay / Siliconix | Kuvaus | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 |
Pakkaus / kotelo | SOT-23-3 (TO-236) | Määrä saatavilla | 8000 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Sarja | TrenchFET® | RDS (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.4A, 10V |
Tehonkulutus (Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | Pakkaus / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paketti | Tape & Reel (TR) | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1295 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | FET tyyppi | P-Channel |
FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss) | 30 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
Perustuotteenumero | SI2369 | ||
ladata | SI2369DS-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI2369DS-T1-GE3
Pieniteho P-kanava MOSFET
Vishay / Siliconix
TrenchFET-sarja, P-kanava MOSFET-teknologia, lyijytön, RoHS-yhteensopiva, pintaliitos TO-236-paketti, korkea jatkuva purkuvirta
Laaja käyttö lämpötilaraja -55 °C:sta 150 °C:een, sopiva jopa 2,5 W:n korkeaan tehohäviöön, erinomainen Rds On -suorituskyky
Purku-lähde-jännite (Vdss): 30V, portti-lähdejännite (Vgs): ±20V, portin kynnysjännite (Vgs(th)): 2,5V
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-paketti, teippaus & kelatoitu (TR) pakkaus automaattista kokoamista varten
Erittäin luotettava Siliconix-rakenne
Tehokas energianhallinta, vähennetyt energiahäviöt
Kilpailukykyinen korkean tiheyden teho sovelluksissa
Yhteensopiva standardien mukaisiin pintaliitostekniikoihin
ROHS-yhteensopiva ympäristön turvallisuuden vuoksi
Suunniteltu pitkäaikaiseen luotettavuuteen
Energianhallinta kannettavissa elektronisissa laitteissa, kytkentä- ja vahvistussovellukset
SI2369DS-T1-GE3 Varasto | SI2369DS-T1-GE3 Hinta | SI2369DS-T1-GE3 Elektroniikka |
SI2369DS-T1-GE3-komponentit | SI2369DS-T1-GE3 Inventory | SI2369DS-T1-GE3 Digikey |
Toimittaja SI2369DS-T1-GE3 | Tilaa SI2369DS-T1-GE3 Online | Kysely SI2369DS-T1-GE3 |
SI2369DS-T1-GE3 Kuva | SI2369DS-T1-GE3 Kuva | SI2369DS-T1-GE3 PDF |
SI2369DS-T1-GE3-tietosivu | Lataa SI2369DS-T1-GE3-tietolomake | Valmistaja Vishay / Siliconix |