| TP65H015G5WS | |
|---|---|
| Osa numero | TP65H015G5WS |
| Valmistaja | Transphorm |
| Kuvaus | 650 V 95 A GAN FET |
| Määrä saatavilla | 263 pcs in stock |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | TP65H015G5WS.pdf |
| TP65H015G5WS Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| TP65H015G5WS: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | TP65H015G5WS | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
| Valmistaja | Transphorm | Kuvaus | 650 V 95 A GAN FET |
| Pakkaus / kotelo | TO-247-3 | Määrä saatavilla | 263 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 2mA | Vgs (Max) | ±20V |
| teknologia | GaNFET (Gallium Nitride) | Toimittaja Device Package | TO-247-3 |
| Sarja | SuperGaN™ | RDS (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 60A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 266W (Tc) | Pakkaus / Case | TO-247-3 |
| Paketti | Tube | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 5218 pF @ 400 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 650 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 93A (Tc) |
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ TP65H015G5WS Online.
| TP65H015G5WS Varasto | TP65H015G5WS Hinta | TP65H015G5WS Elektroniikka | |||
| TP65H015G5WS-komponentit | TP65H015G5WS Inventory | TP65H015G5WS Digikey | |||
| Toimittaja TP65H015G5WS | Tilaa TP65H015G5WS Online | Kysely TP65H015G5WS | |||
| TP65H015G5WS Kuva | TP65H015G5WS Kuva | TP65H015G5WS PDF | |||
| TP65H015G5WS-tietosivu | Lataa TP65H015G5WS-tietolomake | Valmistaja Transphorm | |||
| TP65H015G5WS: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
TP65H035WSQA | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H070G4LSGB-TR | GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 | Transphorm | ||
 |
TP6312SPL | TOPRO QFN | TOPRO | ||
|
TP65H035G4WSQA | 650 V 46.5 GAN FET | Transphorm | ||
|
TP65H035G4WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H050G4BS | 650 V 34 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP6420 | SUPERTEXINC TO-92 | SUPERTEXINC | ||
 |
TP65-5-RCI | HEAVY DUTY SWIVEL PLATE CASTER 5 | Global Industrial | ||
|
TP65H050G4WS | 650 V 34 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP6508IQG | TOPRO QFP | TOPRO | ||
|
TP6508IQ | TOPRO | |||
 |
TP65H050WS | GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H070G4PS | GANFET N-CH 650V 29A TO220 | Transphorm | ||
|
TP6508QG | TOPRO QFP-208 | TOPRO | ||
 |
TP6537FG | TOSHIBA SOP | TOSHIBA | ||
|
TP6317BFA | TOPRO QFP-M44P | TOPRO | ||
|
TP6312T | TOPRO QFP | TOPRO | ||
|
TP6315Q | TOPRO QFP-44 | TOPRO | ||
|
TP65H035WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H050WSQA | GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 | Transphorm | ||
Uutiset
Lisää
Microchipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.