| K4B2G0846D-HCH9 | |
|---|---|
| Osa numero | K4B2G0846D-HCH9 |
| Valmistaja | SAMSUNG |
| Kuvaus | |
| Määrä saatavilla | 8440 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | |
| K4B2G0846D-HCH9 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| K4B2G0846D-HCH9: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | K4B2G0846D-HCH9 | Kategoria | Integroidut piirit (IC) |
| Valmistaja | Samsung Semiconductor | Kuvaus | |
| Pakkaus / kotelo | BGA | Määrä saatavilla | 8440 pcs |
| condtion | New Original Stock | Takuu | 100% Perfect Functions |
| Lyijyaika | 2-3days after payment. | maksu | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
| Toimitus | DHL / Fedex / UPS | portti | HongKong |
| RFQ-sähköposti | |||
| ladata | K4B2G0846D-HCH9 PDF - EN.pdf | ||
Tuotemalli
K4B2G0846D-HCH9
Johdanto
Samsungin puolijohde DDR3-muistipiiri
Brändi ja valmistaja
Samsungin puolijohde
Ominaisuudet
DDR3 SDRAM
2 Gb tiheys
Korkeat tiedonsiirtonopeudet jopa 1866 Mbps
JEDEC-standardi 1.5V (±0.075V) virtalähde
8 sisäistä pankkia samanaikaisille toiminnoille
Tukee kaksisuuntaista differentiaalista datastrobia
Tuotteen suorituskyky
Alhainen virrankulutus Pseudo Open Drain (POD) -rajapinnan ansiosta
CAS-latenssi ja datan kaistanleveyden valintamahdollisuudet
Ohjelmoitavat sekventiaaliset ja jaetut burst-tilat
Automaattinen ennakkolataus ja itse-uudelleenviritys -tilat
Tekniset määritykset
Teknologia: DDR3 SDRAM
Tiheys: 2 Gb
Nopeus: PC3-14900 (1866 Mbps)
VDD/VDDQ = 1.5V/1.5V
Kohteet, muoto ja pakkaus
Sirin muoto
Vakio pakkaus integroiduille piireille
Laatu ja luotettavuus
Korkealaatuinen rakenne
Testattu kestävyyden ja luotettavuuden osalta
Täyttää Samsungin tiukat laatuvaatimukset
Tuotteen edut
Optimoitu korkean suorituskyvyn laskentaan
Ihanteellinen hintatason, tehon ja suorituskyvyn tasapaino
Tuotteen kilpailukyky
Tuotettu johtavan valmistajan toimesta puolijohdeteollisuudessa
Kilpailukykyinen hinnoittelu suurille tilauksille
Yhteensopivuus
Yhteensopiva standardien DDR3-muistipaikkojen kanssa
Suunniteltu käytettäväksi erilaisissa elektroniikkalaitteissa, jotka vaativat DDR3-muistimoduuleja
Standardimääräys ja noudattaminen
JEDEC-standardiin yhteensopiva
RoHS-yhteensopiva
Ikävyys ja kestävyys
Suunniteltu pitkäkestoiseen käyttöön
Kestävät valmistuskäytännöt Samsungin puolijohteelta
Toteutetut käyttöalat
Tietokoneet ja kannettavat tietokoneet
Verkkolaitteet
Palvelimet ja datakeskukset
Kulutuselektroniikka
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ K4B2G0846D-HCH9 Online.
| K4B2G0846D-HCH9 Varasto | K4B2G0846D-HCH9 Hinta | K4B2G0846D-HCH9 Elektroniikka | |||
| K4B2G0846D-HCH9-komponentit | K4B2G0846D-HCH9 Inventory | K4B2G0846D-HCH9 Digikey | |||
| Toimittaja K4B2G0846D-HCH9 | Tilaa K4B2G0846D-HCH9 Online | Kysely K4B2G0846D-HCH9 | |||
| K4B2G0846D-HCH9 Kuva | K4B2G0846D-HCH9 Kuva | K4B2G0846D-HCH9 PDF | |||
| K4B2G0846D-HCH9-tietosivu | Lataa K4B2G0846D-HCH9-tietolomake | Valmistaja Samsung Semiconductor | |||
| K4B2G0846D-HCH9: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
K4B2G0846D-HCMA | K4B2G0846D-HCMA SAMSUNG | SAMSUNG | ||
|
K4B2G0846F-BCK0 | K4B2G0846F-BCK0 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
|
K4B2G0846B-HCF8 | K4B2G0846B-HCF8 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
|
K4B2G0846C-HCH9 | K4B2G0846C-HCH9 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
|
K4B2G0846D-HYK0 | K4B2G0846D-HYK0 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
|
K4B2G0846C-HYH9 IC | SAMSUNG BGA78 | SAMSUNG | ||
|
K4B2G0846C-HCF8 | K4B2G0846C-HCF8 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
 |
K4B2G0846B-HCH9 | K4B2G0846B-HCH9 | Original | ||
|
K4B2G0846D-BCH9 | ||||
|
K4B2G0846C-HYH9 | SAMSUNG | |||
|
K4B2G0846C-HCK0 | K4B2G0846C-HCK0 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
|
K4B2G0846D-HYH9 | K4B2G0846D-HYH9 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
|
K4B2G0846D-HCKO | K4B2G0846D-HCKO SAMSUNG | SAMSUNG | ||
|
K4B2G0846C-HCF8000 | SAMSUNG | |||
|
K4B2G0846D-HCK0 | K4B2G0846D-HCK0 Samsung | Samsung | ||
|
K4B2G0846E-BCK0 | K4B2G0846E-BCK0 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
|
K4B2G0846F-BCKO | SAMSUNG | |||
|
K4B2G0846F-BCK0TCV | ||||
|
K4B2G0846D-HCF8 | SAMSUNG | |||
|
K4B2G0846D-HCK0 IC | SAMSUNG BGA | SAMSUNG | ||
Uutiset
Lisää
Microchipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.