IRFS4010-7PPBF | |
---|---|
Osa numero | IRFS4010-7PPBF |
Valmistaja | Infineon Technologies |
Kuvaus | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK |
Määrä saatavilla | 10665 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
ECAD -malli | |
lomakkeissa | 1.IRFS4010-7PPBF.pdf2.IRFS4010-7PPBF.pdf3.IRFS4010-7PPBF.pdf4.IRFS4010-7PPBF.pdf5.IRFS4010-7PPBF.pdf |
IRFS4010-7PPBF Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
IRFS4010-7PPBF: n tekniset tiedot | |||
---|---|---|---|
Valmistajan osanumero | IRFS4010-7PPBF | Kategoria | |
Valmistaja | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Kuvaus | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK |
Pakkaus / kotelo | D2PAK | Määrä saatavilla | 10665 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | D2PAK |
Sarja | HEXFET® | RDS (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 110A, 10V |
Tehonkulutus (Max) | 380W (Tc) | Pakkaus / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Paketti | Tube | Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 9830 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V | FET tyyppi | N-Channel |
FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss) | 100 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 190A (Tc) |
ladata | IRFS4010-7PPBF PDF - EN.pdf |
IRFS4010-7PPBF
Tehokas N-kanava HEXFET Power MOSFET, joka on suunniteltu energiatehokkaisiin voimanhallintasovelluksiin.
International Rectifier (Infineon Technologies)
N-kanava MOSFET -teknologia, korkea jatkuva purkausvirta 190A, matala oikosulkuraskaus 4 mOhm, korkea iskuvirran tehokkuus.
Toimii lämpötilassa -55°C - 175°C, maksimaalinen tehon hävikki 380W, korkea jännite purkaus-syöttö 100V.
FET-tyyppi: N-Kanava, Rds On: 4 mOhm @ 110A, 10V, Vgs(th) Max @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) Max @ Vgs: 230nC @ 10V, Syöttökapasitanssi (Ciss) Max @ Vds: 9830pF @ 50V.
Pakattu putkeen, TO-263-7, D2PAK (6 liitintä + liitin), TO-263CB -muoto.
Suunniteltu korkealle luotettavuudelle ja vankalle suorituskyvylle vaativissa ympäristöissä.
Erinomainen lämpösuorituskyky, parannetut teho-ominaisuudet.
Optimoitu korkeatehoisiin sovelluksiin.
Yhteensopiva pintaliitostekniikoiden kanssa, mikä helpottaa integrointia erilaisiin piirisuunnitelmiin.
Täyttää teollisuuden standardit elektronisille komponenteille.
Rakennettu kestämään pitkiä käyttöjaksoja vaativissa olosuhteissa.
Soveltuu voimansyöttösovelluksiin, DC-DC-muuntajiin ja moottorivetoihin sekä muihin.
IRFS4010-7PPBF Varasto | IRFS4010-7PPBF Hinta | IRFS4010-7PPBF Elektroniikka | |||
IRFS4010-7PPBF-komponentit | IRFS4010-7PPBF Inventory | IRFS4010-7PPBF Digikey | |||
Toimittaja IRFS4010-7PPBF | Tilaa IRFS4010-7PPBF Online | Kysely IRFS4010-7PPBF | |||
IRFS4010-7PPBF Kuva | IRFS4010-7PPBF Kuva | IRFS4010-7PPBF PDF | |||
IRFS4010-7PPBF-tietosivu | Lataa IRFS4010-7PPBF-tietolomake | Valmistaja Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
IRFS4010-7PPBF: n vastaavat osat | |||||
---|---|---|---|---|---|
Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
![]() |
IRFS4010TRL7PP | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK | Infineon Technologies | ||
![]() |
IRFS4010TRL7 | INFINEON | |||
![]() |
IRFS4010-7PPBF IC | IR TO-263 | IR | ||
![]() |
IRFS38N20DPBF | MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK | Infineon Technologies | ||
![]() |
IRFS4010TRLPBF | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | Infineon Technologies | ||
![]() |
IRFS38N20DTRPBF | IRFS38N20DTRPBF IR | IR | ||
![]() |
IRFS4010 | IRFS4010 IR | IR | ||
![]() |
IRFS38N20DPBF MOS | IR TO-263 | IR | ||
![]() |
IRFS4010PBF | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | Infineon Technologies | ||
![]() |
IRFS4020PBF | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | Infineon Technologies | ||
![]() |
IRFS4010TRR | IRFS4010TRR IR | IR | ||
![]() |
IRFS4010PBF IC | IR TO263 | IR | ||
![]() |
IRFS4010TRRPBF | HEXFET POWER MOSFET | International Rectifier | ||
![]() |
IRFS4010-7P | IRFS4010-7P IR | IR | ||
![]() |
IRFS38N20DTRRP | MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK | Infineon Technologies | ||
![]() |
IRFS38N20DTR | IR TO-263-2 | IR | ||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK | Infineon Technologies | ||
![]() |
IRFS4010TRL | IR | |||
![]() |
IRFS38N20DTRLP MOS | IR TO263 | IR | ||
![]() |
IRFS38N20DTRLPBF | IRFS38N20DTRLPBF IOR | IOR |
Uutiset
LisääMicrochipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
LisääPD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.