| IPG20N10S4L22ATMA1 | |
|---|---|
| Osa numero | IPG20N10S4L22ATMA1 |
| Valmistaja | Infineon Technologies |
| Kuvaus | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Määrä saatavilla | 2956 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | 1.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf2.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf3.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf4.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf5.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf |
| IPG20N10S4L22ATMA1 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| IPG20N10S4L22ATMA1: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | IPG20N10S4L22ATMA1 | Kategoria | |
| Valmistaja | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Kuvaus | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Pakkaus / kotelo | PG-TDSON-8-4 | Määrä saatavilla | 2956 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA | teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | PG-TDSON-8-4 | Sarja | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 17A, 10V | Virta - Max | 60W |
| Pakkaus / Case | 8-PowerVDFN | Paketti | Tape & Reel (TR) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) | Asennustyyppi | Surface Mount |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1755pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| FET Ominaisuus | Logic Level Gate | Valua lähde jännite (Vdss) | 100V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 20A | kokoonpano | 2 N-Channel (Dual) |
| Perustuotteenumero | IPG20N | ||
| ladata | IPG20N10S4L22ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Tuotemalli
IPG20N10S4L22ATMA1
Johdanto
N-kanavan logiikkatason MOSFET
Brändi ja valmistaja
Infineon Technologies (entinen International Rectifier)
Ominaisuudet
Kaksinkertainen N-kanava MOSFET
Logiikkatasoinen portti
AEC-Q101 -sertifioitu
Suunniteltu autoalan sovelluksiin
OptiMOS-teknologia korkean tehokkuuden saavuttamiseksi
Tuotteen suorituskyky
Korkea virrankapasiteetti - 20A jatkuva purku
Matala ontovastus - 22 mOhm
Parannettu tehonkäsittely - 60W maksimissaan
Kestävä lämpötilan kestävyys - Käyttölämpötila -55 °C:sta 175 °C:seen
Tekniset määritykset
Purku- ja lähdejännitteen (Vdss) - 100V
Portti-lähdeportin kynnysjännite (Vgs(th)) - 2.1V @ 25µA
Porttilataus (Qg) - 27nC
Sisääntulo-kapasiteetti (Ciss) - 1755pF
Kohteet, muoto ja pakkaus
Pintakytkentä PG-TDSON-8-4 paketti
Valmistajan pakkaus - PG-TDSON-8-4
Pakkaus - Nauha ja kelat (TR)
Laatu ja luotettavuus
RoHS-yhteensopiva
Lyijytön
Suunniteltu tiukkojen autoalan standardien mukaan
Tuotteen edut
Parannettu tehotiheys
Alhaisemmat johtohäviöt
Vähemmän kytkinhäviöitä
Korkeat ja matalat rinnakkaiskonfiguraatiot
Tuotteen kilpailukyky
Kilpailukykyinen ontovastus
Korkea tehokkuus tehonmuunnossovelluksille
Soveltuu ympäristöihin, joissa on korkeita lämpötilarajoja
Yhteensopivuus
Sopii yleisiin pintakytkentätekniikoihin
Logiikkatasoinen portti yhteensopiva vakioajovoimajännitteiden kanssa
Standardimääräys ja noudattaminen
AEC-Q101 -sertifioitu autoalan luotettavaksi
RoHS-yhteensopiva ympäristönsuojelun vuoksi
Ikävyys ja kestävyys
Suunniteltu pitkäikäiseksi ankarissa ympäristöissä
Optimoitu energian kulutuksen ja lämmön tuoton vähentämiseksi
Toteutetut käyttöalat
Autoalan elektroniikka
Tehonhallinta
DC-DC muuntajat
Moottorikäytöt
Akkuhallintajärjestelmät
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ IPG20N10S4L22ATMA1 Online.
| IPG20N10S4L22ATMA1 Varasto | IPG20N10S4L22ATMA1 Hinta | IPG20N10S4L22ATMA1 Elektroniikka |
| IPG20N10S4L22ATMA1-komponentit | IPG20N10S4L22ATMA1 Inventory | IPG20N10S4L22ATMA1 Digikey |
| Toimittaja IPG20N10S4L22ATMA1 | Tilaa IPG20N10S4L22ATMA1 Online | Kysely IPG20N10S4L22ATMA1 |
| IPG20N10S4L22ATMA1 Kuva | IPG20N10S4L22ATMA1 Kuva | IPG20N10S4L22ATMA1 PDF |
| IPG20N10S4L22ATMA1-tietosivu | Lataa IPG20N10S4L22ATMA1-tietolomake | Valmistaja Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
