| SIZ980DT-T1-GE3 | |
|---|---|
| Osa numero | SIZ980DT-T1-GE3 |
| Valmistaja | Vishay Siliconix |
| Kuvaus | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
| Määrä saatavilla | 2987 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | 1.SIZ980DT-T1-GE3.pdf2.SIZ980DT-T1-GE3.pdf3.SIZ980DT-T1-GE3.pdf4.SIZ980DT-T1-GE3.pdf |
| SIZ980DT-T1-GE3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SIZ980DT-T1-GE3: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | SIZ980DT-T1-GE3 | Kategoria | |
| Valmistaja | Electro-Films (EFI) / Vishay | Kuvaus | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
| Pakkaus / kotelo | 8-PowerPair® (6x5) | Määrä saatavilla | 2987 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | 8-PowerPair® (6x5) | Sarja | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V | Virta - Max | 20W, 66W |
| Pakkaus / Case | 8-PowerWDFN | Paketti | Tape & Reel (TR) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | Asennustyyppi | Surface Mount |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V |
| FET Ominaisuus | - | Valua lähde jännite (Vdss) | 30V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc), 60A (Tc) | kokoonpano | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Perustuotteenumero | SIZ980 | ||
| ladata | SIZ980DT-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Tuotemalli
SIZ980DT-T1-GE3
Johdanto
Kaksois-N-kanava 30V Schottky MOSFET -moduuli
Brändi ja valmistaja
Electro-Films (EFI) / Vishay
Ominaisuudet
Kaksois-N-kanavan MOSFET-rakenne, Schottky-diodit, Vakiomuunnin FET-ominaisuudet, Korkea jatkuva purkuvirta
Tuotteen suorituskyky
Alhainen oikosulkuvastus eri olosuhteissa, Korkea purku-jännite, Laaja käyttö lämpötila-alue, Pintakäyttöinen, Korkea tehonkäsittelykapasiteetti
Tekniset määritykset
30V purku-jännite, 20A, 60A jatkuva purkuvirta 25°C:ssa, 6.7 mOhm, 1.6 mOhm maksimi Rds On, 2.2V maksimi porttijännitteen kynnys, 8.1nC, 35nC maksimi porttivirtamäärä, 930pF, 4600pF syöttökapasitanssi
Kohteet, muoto ja pakkaus
8-PowerWDFN-paketti, Leikattu teippi (CT) pakkaus, Toimittajan laitteistopaketti 8-PowerPair
Laatu ja luotettavuus
Kosteusherkkyystaso 1
Tuotteen edut
Energiatehokas, Minimalistinen jalansija tiheästi pakattuihin sovelluksiin
Tuotteen kilpailukyky
Suunniteltu automatisoituja kokoonpanoprosesseja varten
Yhteensopivuus
Täydentää kytkentäregulaattoreita ja energianhallintapiirejä
Standardimääräys ja noudattaminen
Täyttää teolliset sertifiointistandardit
Ikävyys ja kestävyys
Kestävä ja pitkän käyttöiän omaava
Toteutetut käyttöalat
Virtalähdepiirit, DC/DC muuntajat, Moottorinohjausjärjestelmät
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ SIZ980DT-T1-GE3 Online.
| SIZ980DT-T1-GE3 Varasto | SIZ980DT-T1-GE3 Hinta | SIZ980DT-T1-GE3 Elektroniikka | |||
| SIZ980DT-T1-GE3-komponentit | SIZ980DT-T1-GE3 Inventory | SIZ980DT-T1-GE3 Digikey | |||
| Toimittaja SIZ980DT-T1-GE3 | Tilaa SIZ980DT-T1-GE3 Online | Kysely SIZ980DT-T1-GE3 | |||
| SIZ980DT-T1-GE3 Kuva | SIZ980DT-T1-GE3 Kuva | SIZ980DT-T1-GE3 PDF | |||
| SIZ980DT-T1-GE3-tietosivu | Lataa SIZ980DT-T1-GE3-tietolomake | Valmistaja Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| SIZ980DT-T1-GE3: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
Size 675 | BATTERY ZINC 1.45V COIN 11.6MM | Micropower Battery Company | ||
 |
SIZ920DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR | Vishay Siliconix | ||
 |
SIZB60-4072 | SHINDENGE SOP-4 | SHINDENGE | ||
 |
SIZB60 | TOSHIBA SMT-4 | TOSHIBA | ||
|
SIZ918DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | Vishay Siliconix | ||
|
SIZB60-4102 | N/A SOP-4P | N/A | ||
 |
SIZF300DT-T1-GE3 | MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3 | Vishay Siliconix | ||
|
SIZB20 | SOT-143 01+ | |||
 |
SIZ918DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIZ916DT-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAIR-6x5-8 | VISHAY | ||
 |
SIZ988DT-T1-GE3 | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR | Vishay Siliconix | ||
|
SIZ920DP-T1-GE3 | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
|
SIZ926DT-T1-GE3 | MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR | Vishay Siliconix | ||
|
SIZ980BDT-T1-GE3 | MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5 | Vishay Siliconix | ||
|
SIZ920DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIZ920DT-T1-GE3 IC | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SIZ998DT-T1-GE3 IC | VISHAY QFN-8 | VISHAY | ||
|
SIZ998DT-T1-GE3 | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR | Vishay Siliconix | ||
|
SIZ998BDT-T1-GE3 | DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix | ||
|
SIZ916DT-T1-GE3 IC | VISHAY QFN-8 | VISHAY | ||
Uutiset
Lisää
Microchipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
Lisää
Bluetooth® Xpress -moduulit ja kehitysympäristöSilicon Labsin Blue Gecko Xpress BGX13 on langaton Xpress-moduuli, joka on erityisesti suunniteltu t...
EFR32 ™ Flex Gecko Sub-GHz- ja 2,4 GHz: n omat langattomat käynnistyssarjat Silicon Labsin EFR32 F...
Wi-Fi-kehityspakkaus Zentri AMW007-E03 -moduulille Silicon Labin AMW007-kehityssarja auttaa käyttä...
Si3404 ja Si3406x Power over Ethernet (PoE) -laite Silicon Labsin Si3404- ja Si3406x-edullisia ja te...
Si86xx Digital Isolators Family Silicon Labsin digitaaliset eristimet tarjoavat tukea jopa 5 kV vahv...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.