| SIHG22N60S-E3 | |
|---|---|
| Osa numero | SIHG22N60S-E3 |
| Valmistaja | Vishay Siliconix |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC |
| Määrä saatavilla | 8020 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | 1.SIHG22N60S-E3.pdf2.SIHG22N60S-E3.pdf3.SIHG22N60S-E3.pdf |
| SIHG22N60S-E3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SIHG22N60S-E3: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | SIHG22N60S-E3 | Kategoria | |
| Valmistaja | VPG Sensors | Kuvaus | MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC |
| Pakkaus / kotelo | TO-247AC | Määrä saatavilla | 8020 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | TO-247AC | Sarja | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 11A, 10V | Tehonkulutus (Max) | 250W (Tc) |
| Pakkaus / Case | TO-247-3 | Paketti | Tube |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | Asennustyyppi | Through Hole |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 5620 pF @ 25 V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| FET tyyppi | N-Channel | FET Ominaisuus | - |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 600 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
| Perustuotteenumero | SIHG22 | ||
| ladata | SIHG22N60S-E3 PDF - EN.pdf | ||
Tuotemalli
SIHG22N60S-E3
Johdanto
Piipohjainen voimMOSFET
Brändi ja valmistaja
Vishay
Ominaisuudet
Korkea syöttöimpedanssi, matala päästövastus, nopea kytkentänopeus, matala porttivirta
Tuotteen suorituskyky
Korkea jännitekyky, matalat johtamishäviöt, korkea lämpötilan vakaus, erinomainen kestävyys
Tekniset määritykset
600V kanava-lähde-jännite, 22A jatkuva kanavavirta, 220W tehohäviö, 3V tyypillinen porttikynnysjännite
Kohteet, muoto ja pakkaus
TO-247-paketti, läpivientikiinnitys
Laatu ja luotettavuus
Testattu maksimiliitostemperatuurille, kestävyys lämmönsilmukoille, RoHS-yhteensopiva
Tuotteen edut
Korkea tehokkuus energiansiirrossa, sopii korkeajännitekäyttöön
Tuotteen kilpailukyky
Optimoitu korkeaa suorituskykyä varten, kilpailukykyinen korkeajänniteMOSFET-markkinoilla
Yhteensopivuus
Suunniteltu yleisiin vaihtosähkön syöttölaitteisiin
Standardimääräys ja noudattaminen
Teollisuusstandardien mukainen voimMOSFET:lle, RoHS-yhteensopiva
Ikävyys ja kestävyys
Suunniteltu pitkäaikaiseen käyttöön, kestävyysnäkökohdat huomioitu
Toteutetut käyttöalat
Vaihtosähkön syöttölaitteet, voimansovittimet, moottoriajot, invertterit
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ SIHG22N60S-E3 Online.
| SIHG22N60S-E3 Varasto | SIHG22N60S-E3 Hinta | SIHG22N60S-E3 Elektroniikka | |||
| SIHG22N60S-E3-komponentit | SIHG22N60S-E3 Inventory | SIHG22N60S-E3 Digikey | |||
| Toimittaja SIHG22N60S-E3 | Tilaa SIHG22N60S-E3 Online | Kysely SIHG22N60S-E3 | |||
| SIHG22N60S-E3 Kuva | SIHG22N60S-E3 Kuva | SIHG22N60S-E3 PDF | |||
| SIHG22N60S-E3-tietosivu | Lataa SIHG22N60S-E3-tietolomake | Valmistaja VPG Sensors | |||
| SIHG22N60S-E3: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
SIHG23N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
 |
SIHG22N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHG22N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
|
SIHG24N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
|
SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHG22N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHG22N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
|
SIHG22N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIHG24N65E | VISHAY TO-247AC | VISHAY | ||
|
SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
|
SIHG22N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
|
SIHG24N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHG22N60S | VISHAY | |||
|
SIHG22N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
|
SIHG22N60E | SIHG22N60E VISHAY | VISHAY | ||
|
SIHG23N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHG22N60AEL-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
 |
SIHG22N60EL-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
|
SIHG22N60E-GE3 MOS | VISHAY TO3P | VISHAY | ||
|
SIHG24N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | Vishay Siliconix | ||
Uutiset
Lisää
Microchipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.