| FQA11N90 | |
|---|---|
| Osa numero | FQA11N90 |
| Valmistaja | Fairchild Semiconductor |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P |
| Määrä saatavilla | Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | FQA11N90.pdf |
| FQA11N90 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| FQA11N90: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | FQA11N90 | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
| Valmistaja | Fairchild Semiconductor | Kuvaus | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P |
| Pakkaus / kotelo | TO-3P | Määrä saatavilla | Available Stock |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | TO-3P |
| Sarja | QFET® | RDS (Max) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 5.7A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 300W (Tc) | Pakkaus / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paketti | Tube | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V | FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 900 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) |
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ FQA11N90 Online.
| FQA11N90 Varasto | FQA11N90 Hinta | FQA11N90 Elektroniikka | |||
| FQA11N90-komponentit | FQA11N90 Inventory | FQA11N90 Digikey | |||
| Toimittaja FQA11N90 | Tilaa FQA11N90 Online | Kysely FQA11N90 | |||
| FQA11N90 Kuva | FQA11N90 Kuva | FQA11N90 PDF | |||
| FQA11N90-tietosivu | Lataa FQA11N90-tietolomake | Valmistaja | |||
| FQA11N90: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
FQA10N60C | MOSFET N-CH 600V 10A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FQA11N90C | MOSFET N-CH 900V 11A TO3P | onsemi | ||
|
FQA10N80C | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FQA11N90F | ON TO-3PF | ON | ||
 |
FQA11N90C_F109 | FQA11N90C_F109 N/A | N/A | ||
|
FQA12N20 | ||||
|
FQA10N80_F109 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P | onsemi | ||
|
FQA11N40 | FQA11N40 FSC | FSC | ||
 |
FQA11N90-F109 | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN | onsemi | ||
|
FQA11N90C-F109 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | onsemi | ||
|
FQA10N80C | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P | onsemi | ||
|
FQA10N60C | MOSFET N-CH 600V 10A TO3P | onsemi | ||
|
FQA11N90_F109 | FQA11N90_F109 N/A | N/A | ||
|
FQA10N80C_F109 | FQA10N80C_F109 N/A | N/A | ||
|
FQA10N80 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P | onsemi | ||
|
FQA11N90C | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | Fairchild/ON Semiconductor | ||
|
FQA11N90C/FQA11N90 | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
|
FQA10N80 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQA11N90 | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P | onsemi | ||
|
FQA10N80C-F109 | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P | onsemi | ||
Uutiset
Lisää
Microchipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.