| SVD2955T4G | |
|---|---|
| Osa numero | SVD2955T4G |
| Valmistaja | onsemi |
| Kuvaus | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| Määrä saatavilla | 14500 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | 1.SVD2955T4G.pdf2.SVD2955T4G.pdf3.SVD2955T4G.pdf4.SVD2955T4G.pdf5.SVD2955T4G.pdf |
| SVD2955T4G Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SVD2955T4G: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | SVD2955T4G | Kategoria | |
| Valmistaja | onsemi | Kuvaus | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| Pakkaus / kotelo | DPAK | Määrä saatavilla | 14500 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | DPAK |
| Sarja | Automotive, AEC-Q101 | RDS (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 6A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 55W (Tj) | Pakkaus / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paketti | Tape & Reel (TR) | Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | FET tyyppi | P-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 60 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Perustuotteenumero | SVD2955 | ||
| ladata | SVD2955T4G PDF - EN.pdf | ||
Tuotemalli
SVD2955T4G
Johdanto
P-kanavan MOSFET, joka on suunniteltu tehopäswitching-sovelluksiin.
Brändi ja valmistaja
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Ominaisuudet
P-kanavan FET-tyyppi, MOSFET-teknologia, lyijytön ja RoHS-yhteensopiva.
Tuotteen suorituskyky
Korkea teholähtökapasiteetti 55W, toimintalämpötila-alue -55°C - 175°C, purku-lähdejännite 60V, jatkuva purkuvirta 12A 25°C:ssa.
Tekniset määritykset
Max RDS(on) 180 mOhm 6A, 10V:lla, portti-kynnysjännite jopa 4V 250μA:ssa, maksimaalinen porttivirtakuormitus 30nC 10V:lla, syöttökapasitanssi 750pF 25V:ssa, ohjausjännite Max/Min RDS(on) 10V, maksimaalinen Vgs ±20V.
Kohteet, muoto ja pakkaus
Pinta-asennus DPAK (TO-252-3, DPak, SC-63), pakkaus: nauha ja kelarulla (TR).
Laatu ja luotettavuus
Kosteuden herkkyysluokka (MSL) 1, mikä osoittaa korkean luotettavuuden rajoittamattomassa varastointielämässä normaaleissa ympäristöolosuhteissa.
Tuotteen edut
Tehokkaat energianhallintakyvyt, optimoidut matalille porttikäynnistyslähteille.
Tuotteen kilpailukyky
Kilpailukykyinen sovelluksissa, jotka vaativat korkeaa lämpö- ja sähköistä suorituskykyä.
Yhteensopivuus
Yhteensopiva standardien mukaisten pinta-asennusmenetelmien kanssa.
Standardimääräys ja noudattaminen
Lyijytön ja RoHS-yhteensopiva ympäristöstandardeille.
Ikävyys ja kestävyys
Suunniteltu kestäväksi ja pitkäikäiseksi käytöksi vaativissa olosuhteissa.
Toteutetut käyttöalat
Virtalähteen kytkimet, energianhallintasovellukset, kuormakytkimet.
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ SVD2955T4G Online.
| SVD2955T4G Varasto | SVD2955T4G Hinta | SVD2955T4G Elektroniikka | |||
| SVD2955T4G-komponentit | SVD2955T4G Inventory | SVD2955T4G Digikey | |||
| Toimittaja SVD2955T4G | Tilaa SVD2955T4G Online | Kysely SVD2955T4G | |||
| SVD2955T4G Kuva | SVD2955T4G Kuva | SVD2955T4G PDF | |||
| SVD2955T4G-tietosivu | Lataa SVD2955T4G-tietolomake | Valmistaja | |||
| SVD2955T4G: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
SVD2N60D IC | SILAN TO-252 | SILAN | ||
|
SVD3205T | VB TO-220AB | VB | ||
|
SVD12N60F MOS | VBSEMI TO-220F | VBSEMI | ||
|
SVD2N60DTR IC | SL TO252 | SL | ||
|
SVD1N60M MOS | SILAN TO-251 | SILAN | ||
|
SVD1N60M | SVD1N60M SILAN | SILAN | ||
|
SVD1N60D IC | SILAN TO-252 | SILAN | ||
|
SVD12N60F | VBsemi TO220F | VBsemi | ||
|
SVD1N60DFBTR | TO252 11+PBF | |||
|
SVD1404T | SVD1404T Silan | Silan | ||
|
SVD2N60D | SILAN TO-252 | SILAN | ||
|
SVD12N65F | SL TO220 | SL | ||
|
SVD2N60M | SILAN TO-251 | SILAN | ||
|
SVD2N60 | TO251 11+ | |||
|
SVD2N60DTR | TO-252 16+ | |||
|
SVD1N60D | SILAN TO-252 | SILAN | ||
|
SVD2N60F | SILAN TO-220 | SILAN | ||
 |
SVD14N03RT4G | MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK | onsemi | ||
 |
SVD2N60MJ | FUJITSU TO-251 | FUJITSU | ||
|
SVD301-TF | SANYO SMD | SANYO | ||
Uutiset
Lisää
Microchipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.