NTLJS3113PT1G | |
---|---|
Osa numero | NTLJS3113PT1G |
Valmistaja | onsemi |
Kuvaus | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN |
Määrä saatavilla | 174428 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
ECAD -malli | |
lomakkeissa | 1.NTLJS3113PT1G.pdf2.NTLJS3113PT1G.pdf3.NTLJS3113PT1G.pdf4.NTLJS3113PT1G.pdf5.NTLJS3113PT1G.pdf |
NTLJS3113PT1G Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
NTLJS3113PT1G: n tekniset tiedot | |||
---|---|---|---|
Valmistajan osanumero | NTLJS3113PT1G | Kategoria | |
Valmistaja | onsemi | Kuvaus | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN |
Pakkaus / kotelo | 6-WDFN (2x2) | Määrä saatavilla | 174428 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | 6-WDFN (2x2) |
Sarja | µCool™ | RDS (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 3A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max) | 700mW (Ta) | Pakkaus / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
Paketti | Tape & Reel (TR) | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1329 pF @ 16 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7 nC @ 4.5 V | FET tyyppi | P-Channel |
FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss) | 20 V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Perustuotteenumero | NTLJS3113 | ||
ladata | NTLJS3113PT1G PDF - EN.pdf |
NTLJS3113PT1G
P-kanavan MOSFET pinnoitussovelluksiin
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
P-kanavan MOSFET-teknologia, korkea tehon hajotuskapasiteetti, matala Rds (on) tehokkuuden parantamiseksi, sopii tiheille PCB-asetteluille, tukee nopeita kytkentäsovelluksia
Jatkuva tyhjennysvirta 3,5A 25°C:ssa, korkea käyttö lämpötila-alue -55°C - 150°C, kova lämpötilan kestävyys 700mW tehon hajotuksella
Tyhjennys-jatkosjännite (Vdss) 20V, portti-jatkos-raja jännite (Vgs th) 1V @ 250µA, päällä- vastus (Rds on) 40 mOhm 3A:lla, 4.5V, portti-lataus (Qg) 15.7nC @ 4.5V, tulo-kapasiteetti (Ciss) 1329pF @ 16V
6-WDFN Paljaalla padilla pakkaus, pinnoitettujen komponenttien kokoonpano, pakattuna Tape & Reel (TR) automaattista kokoamista varten
Kosteuden herkkyystaso (MSL) 1, mikä tarkoittaa rajatonta elinkaarta, lyijytön ja RoHS-yhteensopiva ympäristön turvallisuuden varmistamiseksi
Matala päällä-vastus parantaa energiatehokkuutta, korkea jatkuva tyhjennysvirta, laaja käyttö lämpötila-alue
Korkea suorituskyky-kustannussuhde, optimoitu tehonherkille sovelluksille
Optimoitu pinnoitettujen teknologioiden käyttöön
RoHS-yhteensopiva, lyijytön tila
Kestävä ja pitkäikäinen laaja käyttö lämpötila-alue
Tehokkuuden hallintakytkentä, paristokäyttöiset järjestelmät, muunnos- ja kääntö sovellukset, kytkentäregulaattorit, kuormakytkimet, tehovahvistimet
NTLJS3113PT1G Varasto | NTLJS3113PT1G Hinta | NTLJS3113PT1G Elektroniikka | |||
NTLJS3113PT1G-komponentit | NTLJS3113PT1G Inventory | NTLJS3113PT1G Digikey | |||
Toimittaja NTLJS3113PT1G | Tilaa NTLJS3113PT1G Online | Kysely NTLJS3113PT1G | |||
NTLJS3113PT1G Kuva | NTLJS3113PT1G Kuva | NTLJS3113PT1G PDF | |||
NTLJS3113PT1G-tietosivu | Lataa NTLJS3113PT1G-tietolomake | Valmistaja |
NTLJS3113PT1G: n vastaavat osat | |||||
---|---|---|---|---|---|
Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
![]() |
NTLJS1102PTBG | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN | onsemi | ||
![]() |
NTLJS2103PTAG | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN | onsemi | ||
![]() |
NTLJS4114NT1G MOS | VBSEMI WDFN6 | VBSEMI | ||
![]() |
NTLJS3180PZTBG | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | onsemi | ||
![]() |
NTLJS2103P | NTLJS2103P ON | ON | ||
![]() |
NTLJS3A18PZTAG | ON DFN2*2 | ON | ||
![]() |
NTLJS3113P | NTLJS3113P ON | ON | ||
![]() |
NTLJF4156NTAG | MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN | onsemi | ||
![]() |
NTLJS3A18PZTWG | MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN | onsemi | ||
![]() |
NTLJS2103PTBG | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN | onsemi | ||
![]() |
NTLJS14D0P03P8ZTAG | MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET | onsemi | ||
![]() |
NTLJS3D0N02P8ZTAG | MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN | onsemi | ||
![]() |
NTLJS4114NT1G | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN | onsemi | ||
![]() |
NTLJS053N12MCLTAG | PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0 | onsemi | ||
![]() |
NTLJS3180PZTAG | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN | onsemi | ||
![]() |
NTLJS1102PTAG | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN | onsemi | ||
![]() |
NTLJS17D0P03P8ZTAG | MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN | onsemi | ||
![]() |
NTLJS3D9N03CTAG | MOSFET N-CH 30V 10.3A 6PQFN | onsemi | ||
![]() |
NTLJS3A18PZTXG | MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN | onsemi | ||
![]() |
NTLJS3113PTAG | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN | onsemi |
Uutiset
LisääMicrochipin PolarFire® Soc FPGA on saanut AEC -Q100 -sertifikaatin, mikä vahvistaa sen luotettavuuden ankarissa autoolosuhteissa, mukaan lukien -40 ...
PSOCTM 4000T on Infineonin ensimmäinen tuote, jolla on yrityksen viidennen sukupolven Capsense ™ -teknologia ja monitahoinen toiminnallisuus.Tämä ...
Autoosien toimittajan johtaja paljasti, että EV -kehitys Pohjois -Amerikan markkinoilla on pysähtynyt, kun autovalmistajat päättävät pidentää ...
Infineon ja Eatron laajentavat AI -akkujen hallintajärjestelmänsä (BMS) yhteistyötä teollisuus- ja kulutuselektroniikkaan.Infineonin PSOC ™ -mik...
Puolijohteessa ilmoitti äskettäin ensimmäisen reaaliaikaisen, epäsuoran lentosarjan (ITOF) anturin, Hyperlux ID -sarjan, joka pystyy suorittamaan ...
Uudet tuotteet
LisääPD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa vartenAcconeerin XC112- ja XR112-arviointisarja, jossa on taipuisat joustavat kaapelit ...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.